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Si3454ADV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.20
0.15
0.10
V GS = 4.5 V
600
500
400
300
C iss
0.05
0.00
V GS = 10 V
200
100
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 4.5 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 4.5 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 4.5 A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71108
S09-0765-Rev. D, 04-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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